不論是在市場規模還是市場增速都已經稱雄全球的中國集成電路產業，如何提升其產能的含金量？24日在北京舉辦的“2016中國半導體市場年會暨第五屆中國集成電路產業創新大會”上，與會專家學者大體達成共識，認為中國發展集成電路還是要走自主創新之路，存儲器將是2016年的熱點和重點，超越摩爾領域開始進入國家戰略成為新熱點。

 

　　自主創新是當務之急

 

　　“中國集成電路應該走自主創新的發展道路。”在昨日舉行的會議上，中國工程院院士倪光南、中科院微電子所所長葉甜春可謂英雄所見略同。

 

　　中國集成電路的發展之路一直廣受業界關注和討論。從引進仿制到以市場換技術，中國集成電路產業經歷了多個發展階段和不同的發展策略，但產業競爭力還是相對薄弱。

 

　　“中國集成電路已經有了一定的基礎，現在要提倡自主創新，尤其是原始創新和集中創新是當務之急。”葉甜春在會議上強調，隨著國家重大專項和集成電路產業推進綱要的協同實施，中國集成電路的技術進步加速；另一方面，通過大范圍的國際并購與整合后，中國的集成電路產業和技術都達到了一個新的高度，此時再跟隨就沒有那么多經驗可資借鑒了，大家都需要摸索前進。

 

　　倪光南則通過對比聯想和華為的發展之路及結果，認為中國應該走自主創新的道路。從當初的起點和市值差不多，聯想實施了國際化并購，華為則埋頭自主研發；雖然聯想的并購讓其在短期內快速超越了華為，但時至今日，華為的市值已經超過聯想10倍，華為的自主研發優勢充分顯現。

 

　　“最新技術是買不來的，要繼續保持后勁，就必須對創新研發更加重視，投入的力度和持續性極為重要。”葉甜春同時強調，“中國歷次集成電路產業發展中犯的錯誤就是投入沒有連續性導致發展間歇性停滯，結果是與世界先進的差距越來越多。”

 

　　對于創新的重點，葉甜春建議瞄準市場趨勢，面向產業結構調整、戰略性新興產業（愛基，凈值，資訊）和社會服務智能化，在全球產業創新鏈中形成自己的特色。

 

 

　　“大基金今年將更大力度地支持集成電路制造業和特色集成電路發展、重點推進存儲器項目。”國家集成電路產業投資基金股份有限公司（下稱大基金）總經理丁文武在本次會議上表示。

 

　　存儲器已經是集成電路產業的兵家必爭之地。據悉，我國每年進口的芯片中有1/4是存儲芯片，產業需求存在巨大缺口，產業安全也存在巨大隱患。“大基金把存儲作為國家戰略推動，首先在武漢設立存儲器基地。”丁文武表示。

 

　　據悉，武漢存儲器基地落戶武漢東湖新技術開發區，項目啟動儀式將于28日舉行。該基地由大基金、湖北省集成電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資建設，項目總投資將達240億美元；目前方案顯示，產品方向為3D NAND，項目的主要實施主體是武漢新芯。

 

　　值得關注的是，存儲已經成為中國集成電路產業的投資新寵。武漢新芯存儲器基地項目、江蘇淮安德科瑪圖像傳感器IDM項目、重慶AOS（alpha&；；omega）的12寸MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）功率半導體項目均將于3月份啟動，而紫光集團在存儲上的“野心”更是有目共睹。

 

 

　　隨著硅片上線路的增加和晶圓制造不斷攀升的成本，摩爾定律在指導更先進制程的發展上變得困難。基于此，業界提出“超越摩爾定律”，試圖通過電路兼容、封裝測試等技術，提高芯片功能和集成度并降低成本，從制程以外的更多途徑來詮釋和維護摩爾定律。“超越摩爾”領域成為集成電路的下一個風口。

 

　　中國有望在“超越摩爾”領域出奇制勝，趕上甚至超越世界先進水平，比如基于物聯網、人工智能的MCU（微控制器）、MEMS（傳感器）、磁存儲等領域。中國有豐富的成熟的8寸半導體生產線和技術，如中芯國際、華虹宏力、上海先進的半導體晶圓廠；此外，上海微技術工業研究院早已積極布局組建“超越摩爾”8寸研發中試線和世界級產品研發團隊。

 

　　值得關注的是，超越摩爾領域開始進入國家戰略。工信部副部長懷進鵬在開幕致辭中表示，面對超越摩爾新領域和新的市場和產品需求，要進一步提升消費、通信芯片的層次和性價比，加緊布局汽車電子、MEMS傳感器等超低功耗芯片開發。

 

　　“物聯網將帶來第三次信息化浪潮。”葉甜春表示，全球信息化發展開始從數字化走向智能化，中國則從“兩化融合”轉向“全面的信息化時代”，基于大數據、云計算等技術，可穿戴、工業4.0、工業互聯網、能源互聯網、智慧城市等正在給集成電路帶來新的發展機遇，MEMS與集成電路的融合將是未來傳感器發展趨勢。

 

　　此外，懷進鵬強調，在集成電路產業領域，工信部今年將著重加強頂層設計，圍繞互聯網、物聯網、大數據，推動產業資本和金融融合；強化協同創新能力建設，加快推動產學研研究基地和示范性微電子教學基地建設，推動高端人才培養。