科技園公司與麻省光子技術舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵(GaN)外延片中試線啟動禮」。麻省光子技術預計在港投資2億元，三年後年產能1萬片。

　創科及工業局局長孫東致辭時表示，香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好國際化優勢和雄厚科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。

　孫東又指，氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，麻省光子技術在港投資設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及依托即將成立的微電子中心，準備投資超過2億元建立首條高階量產型8寸車規級氮化鎵外延片中試線，將加速推動香港新型工業化，以及微電子生態圈的發展，同時麻省光子技術落戶香港也助力香港壯大創科人才庫。

　孫東強調，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展，香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。他指出，麻省光子技術落戶香港確切回應了特區政府的發展戰略，當局會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。

　麻省光子技術行政總裁廖翊韜預計，年底前公司將完成1億元融資，他強調公司在香港的融資不限幣種，又指市場需求巨大，3年後1萬片的目標產能可以靈活調節，希望可以超過目標產能。對於美國的制裁，廖翊韜回應說，半導體外延是不同的賽道，全球都在發展，內地也在積極發展。(記者 鄭珊珊)

　頂圖圖説：創科及工業局局長孫東表示，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。

　科技園公司與麻省光子技術舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵(GaN)外延片中試線啟動禮」。